內(nèi)存/硬盤合體加速到來 Intel確定在中國生產(chǎn)3D閃存

　　在Intel上周發(fā)布的第三季財報中，凈利潤出現(xiàn)了明顯下滑。

　　對于全球處理器頭號大廠來說，在PC走勢必然不好的背景下，他們必須想辦法拓展一些新業(yè)務(wù)。

　　據(jù)新浪科技報道，英特爾宣布在中國大連投資55億美元，將其在當(dāng)?shù)氐墓�廠轉(zhuǎn)型為存儲芯片制造工廠，專注非易失性存儲芯片( nonvolatile memory chips)。

　　英特爾大連工廠雖然創(chuàng)辦于2010年，但是在制造工藝上卻落后于其它英特爾工廠兩代以上。

　　今年的IDF大會上，英特爾中重點推介了3D XPoint技術(shù)，這種基于電阻非易失性內(nèi)存存儲方案(統(tǒng)一了DRAM內(nèi)存和SSD)，理論速度可以比如今的固態(tài)硬盤快千倍。

　　英特爾表示，大連工廠預(yù)計將從2016年下半年開始生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。

　　內(nèi)存硬盤二合一的時代正加速到來。